Die effek van hoëkrag silikonkarbieddiode op PIN-fotodetektor
Hoëkrag silikonkarbied PIN-diode was nog altyd een van die brandpunte op die gebied van kragtoestelnavorsing.'n PIN-diode is 'n kristaldiode wat saamgestel is deur 'n laag intrinsieke halfgeleier (of halfgeleier met 'n lae konsentrasie van onsuiwerhede) tussen die P+-gebied en die n+-gebied te plaas.Die i in PIN is 'n Engelse afkorting vir die betekenis van "intrinsiek", want dit is onmoontlik om 'n suiwer halfgeleier sonder onsuiwerhede te bestaan, dus is die I-laag van die PIN-diode in die toepassing min of meer gemeng met 'n klein hoeveelheid P -tipe of N-tipe onsuiwerhede.Op die oomblik neem die silikonkarbied PIN-diode hoofsaaklik Mesa-struktuur en vlakstruktuur aan.
Wanneer die bedryfsfrekwensie van PIN-diode 100MHz oorskry, as gevolg van die stoor-effek van 'n paar draers en die deurgangstyd-effek in laag I, verloor die diode die gelykrig-effek en word 'n impedansie-element, en sy impedansiewaarde verander met die voorspanning.By nul-voorspanning of GS-omgekeerde voorspanning is die impedansie in die I-streek baie hoog.In DC voorwaartse voorspanning bied die I-streek 'n lae impedansietoestand as gevolg van draerinspuiting.Daarom kan die PIN-diode as 'n veranderlike impedansie-element gebruik word, op die gebied van mikrogolf- en RF-beheer, is dit dikwels nodig om skakeltoestelle te gebruik om seinwisseling te bereik, veral in sommige hoëfrekwensie seinbeheersentrums, PIN-diodes het beter RF sein beheer vermoëns, maar ook wyd gebruik in faseverskuiwing, modulasie, beperking en ander stroombane.
Hoë-krag silikonkarbied diode word wyd gebruik in krag veld as gevolg van sy superieure spanning weerstand eienskappe, hoofsaaklik gebruik as 'n hoë-krag gelykrigter buis.Die PIN-diode het 'n hoë omgekeerde kritieke afbreekspanning VB, as gevolg van die lae doping i-laag in die middel wat die hoofspanningsval dra.Die verhoging van die dikte van sone I en die vermindering van die dopingkonsentrasie van sone I kan die omgekeerde afbreekspanning van die PIN-diode effektief verbeter, maar die teenwoordigheid van sone I sal die voorwaartse spanningsval VF van die hele toestel en die skakeltyd van die toestel verbeter tot 'n sekere mate, en die diode wat van silikonkarbiedmateriaal gemaak is, kan hierdie tekortkominge vergoed.Silikonkarbied 10 keer die kritieke afbreek-elektriese veld van silikon, sodat die silikonkarbieddiode I-sonedikte tot een-tiende van die silikonbuis verminder kan word, terwyl 'n hoë afbreekspanning gehandhaaf word, tesame met die goeie termiese geleidingsvermoë van silikonkarbiedmateriale , daar sal geen ooglopende hitte-afvoerprobleme wees nie, so hoë-krag silikonkarbieddiode het 'n baie belangrike gelykrigtertoestel op die gebied van moderne kragelektronika geword.
As gevolg van sy baie klein omgekeerde lekstroom en hoë draermobiliteit, het silikonkarbieddiodes groot aantrekkingskrag op die gebied van foto-elektriese opsporing.Klein lekstroom kan die donker stroom van die detektor verminder en geraas verminder;Hoë draermobiliteit kan die sensitiwiteit van silikonkarbied-PIN-detektor (PIN-fotodetektor) effektief verbeter.Die hoëkrag-eienskappe van silikonkarbieddiodes stel PIN-detektors in staat om sterker ligbronne op te spoor en word wyd in die ruimteveld gebruik.Daar is aandag gegee aan hoë-krag silikonkarbieddiode vanweë sy uitstekende eienskappe, en sy navorsing is ook baie ontwikkel.
Postyd: 13 Oktober 2023